首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度
    连续漏极电流
    22A
    行业应用
    类型
    包装方式
    漏源电压
    工作温度: -55℃~175℃
    连续漏极电流: 22A
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTR36P15P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTR36P15P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTR36P15P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTR36P15P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTR36P15P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTR36P15P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD650P06NMATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@30V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTR36P15P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTR36P15P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTR36P15P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483BEEY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483BEEY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧