品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€150W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:542W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:542W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:542W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":64,"16+":7}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFP4310Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7120pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@77A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2905}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP80090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2905}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:542W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:542W
阈值电压:2.69V@15mA
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€37.5W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5065pF@50V
连续漏极电流:128A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SUP80090E-GE3
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
栅极电荷:95nC@10V
功率:375W
输入电容:3425pF@75V
连续漏极电流:128A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF4D5N10C
阈值电压:4V@310µA
输入电容:5065pF@50V
类型:N沟道
栅极电荷:68nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:2.4W€37.5W
连续漏极电流:128A
漏源电压:100V
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: