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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
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功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：3.8V@250µA
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栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
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功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
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输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
连续漏极电流：6A€27A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
阈值电压：3.8V@250µA
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
输入电容：1009pF@30V
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：30mΩ@6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4126
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4126
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4126
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4126
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF4126
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
