采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@15V
连续漏极电流：39A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：665，"19+"：926，"MI+"：615}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8D5N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€35W
阈值电压：4V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2475pF@50V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA80N10T
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3040pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€73W
阈值电压：2V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@40V
连续漏极电流：14.8A€64A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：395nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25773pF@27V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.03mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2V@24µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2019pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.56mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
连续漏极电流：35A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N10S305AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11570pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：625mW€5.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：198821，"MI+"：30000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3706
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1882pF@10V
连续漏极电流：14.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S407ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA00EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4690pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ454EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：145mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2974，"10+"：202，"12+"：199，"13+"：564，"14+"：63445，"16+"：7500，"18+"：39000，"19+"：22914，"21+"：27500，"22+"：3872}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS010N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€32W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：13A€43A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN026-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：27.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2191pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS484CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：296，"14+"：18500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N04S204AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5300pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
