采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C632NLT4G
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
功率：4W€115W
连续漏极电流：29A€155A
输入电容：5700pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：3.4nC@4.5V
输入电容：400pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
功率：18W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：22A€91A
输入电容：2900pF@30V
功率：4.4W€76W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：N沟道
功率：3W€26W
输入电容：770pF@15V
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
连续漏极电流：14A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：3.4nC@4.5V
输入电容：400pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
功率：18W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C632NLT4G
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
功率：4W€115W
连续漏极电流：29A€155A
输入电容：5700pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
连续漏极电流：17A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：3.4nC@4.5V
输入电容：400pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
功率：18W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NWFTWG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：N沟道
功率：3W€26W
输入电容：770pF@15V
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
连续漏极电流：14A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
输入电容：700pF@25V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
功率：27W
连续漏极电流：38A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
功率：3.1W€72W
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：2900pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C648NLT4G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
栅极电荷：17nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：22A€91A
输入电容：2900pF@30V
功率：4.4W€76W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C632NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€115W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A€48A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C632NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€115W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C632NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€115W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NAT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C688NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：27.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A€48A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€26W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A€48A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
