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    类型: N沟道
    栅极电荷: 18nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C454NLTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D43-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D43-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D43-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N044ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N044ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6N044ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@14µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1042pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.52mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM150NB04LCR RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:966pF@20V

    连续漏极电流:10A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R5-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R5-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1166pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTWG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTWG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD558 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD558 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD558

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1187pF@15V

    连续漏极电流:17A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06 起订43个装
    ST Mosfet场效应管 STP20NF06 起订43个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NF06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD558 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD558 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD558

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1187pF@15V

    连续漏极电流:17A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD558 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD558 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD558

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1187pF@15V

    连续漏极电流:17A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S55R8ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S55R8ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC50N04S55R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:3.4V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTAG 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD075N03LGATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTWG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTWG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C456NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C456NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C456NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTWG 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C454NLTWG 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N044ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC60N04S6N044ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC60N04S6N044ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@14µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1042pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.52mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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