品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3910PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3910PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4470EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU3910PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1865pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@150V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@150V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL92N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@50V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5Ω@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:633pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL92N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@50V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5Ω@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL92N10F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@50V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5Ω@8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@150V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3910TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:115mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1865pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: