品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€88W
阈值电压:3V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16900pF@25V
连续漏极电流:10.4A€53A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685-F085P
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS052P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2.4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@20V
连续漏极电流:4.7A€13.2A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS014P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€61W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:11.3A€49A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€171W
阈值电压:2.4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5827pF@20V
连续漏极电流:28A€183A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€60W
阈值电压:2.4V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1734pF@20V
连续漏极电流:12.5A€52.1A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS052P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2.4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@20V
连续漏极电流:4.7A€13.2A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€171W
阈值电压:2.4V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5827pF@20V
连续漏极电流:28A€183A
类型:P沟道
导通电阻:2.7mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS9D6P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2002pF@20V
连续漏极电流:17.1A€77A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€205W
阈值电压:2.4V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:157nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5985pF@20V
连续漏极电流:31A€222A
类型:P沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€75W
阈值电压:2.4V@580µA
栅极电荷:34.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2312pF@20V
连续漏极电流:13A€64A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€88W
阈值电压:3V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16900pF@25V
连续漏极电流:10.4A€53A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS025P04M8LT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€44.1W
阈值电压:2.4V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1058pF@20V
连续漏极电流:9.4A€34.6A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: