采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.2V@98µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2546pF@25V
连续漏极电流：21A€111A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€45W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@25V
连续漏极电流：12A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€45W
阈值电压：2.2V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@25V
连续漏极电流：12A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€45W
阈值电压：2.2V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@25V
连续漏极电流：12A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C680NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€45W
阈值电压：2.2V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@25V
连续漏极电流：12A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5875NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：33mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.2V@98µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2546pF@25V
连续漏极电流：21A€111A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：79500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C650NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.2V@98µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2546pF@25V
连续漏极电流：21A€111A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€125W
阈值电压：2.2V@98µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2546pF@25V
连续漏极电流：21A€111A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C672NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€45W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：793pF@25V
连续漏极电流：12A€49A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C674NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：79500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C668NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€57.5W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@25V
连续漏极电流：15.5A€68A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C674NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€37W
阈值电压：2.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：11A€42A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.4mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€19W
阈值电压：2.2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：7.5A€26A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9945
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
