采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5485NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5485NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5485NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8003SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8952pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5485NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：44mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
