品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC90N04-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2922pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1166pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:979pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2922pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1166pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M12-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:979pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C454NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M14-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1211pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: