品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-60PSQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":466}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-108ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:108V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2400,"21+":800,"22+":2400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R2-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4998,"9999":6}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK652R1-30C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4916,"9999":15}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:191nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11516pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4916,"9999":15}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:191nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11516pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:191nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11516pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1487}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK763R9-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4028}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK969R3-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11650pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK661R8-30C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10918pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"9999":41}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK652R6-40C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:199nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11334pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4916,"9999":15}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK653R5-55C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:191nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11516pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ140EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3855pF@25V
连续漏极电流:266A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":796}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK762R6-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7130pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: