销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NS04Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:33V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD120N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
功率:110W
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP95N4F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N55F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: