采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639G3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639P3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：667}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7619-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11894，"19+"：6400，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7620-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4373pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4410TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11894，"19+"：6400，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7620-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4373pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4410PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5150pF@50V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：572539，"21+"：6050，"22+"：44900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3710PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@56A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
