品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7606-55B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1834,"12+":5781}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK764R3-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4824pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:55mΩ
类型:N通道
输入电容:1008pF@100V
功率:254W
栅源击穿电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
漏源饱和电流:5µA@1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R4-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7124pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R3-40B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4824pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":900}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R3-40B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4824pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7508-55A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@0V
包装方式:管件
输入电容:4352pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7508-55A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@0V
包装方式:管件
输入电容:4352pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7508-55A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@0V
包装方式:管件
输入电容:4352pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:90mΩ
类型:N通道
输入电容:985pF@100V
功率:254W
栅源击穿电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":17770,"18+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R4-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7124pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":213,"17+":640,"19+":520}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7608-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@0V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4352pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1834,"12+":5781}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK764R3-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4824pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:90mΩ
类型:N通道
输入电容:985pF@100V
功率:254W
栅源击穿电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:90mΩ
类型:N通道
输入电容:985pF@100V
功率:254W
栅源击穿电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":990}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9E4R4-40B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:管件
输入电容:7124pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK764R3-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4824pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9E04-30B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:56nC@5V
包装方式:管件
输入电容:6526pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9E4R4-40B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:管件
输入电容:7124pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:55mΩ
类型:N通道
输入电容:1008pF@100V
功率:254W
栅源击穿电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
漏源饱和电流:5µA@1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7606-55B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":17770,"18+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R4-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7124pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK964R4-40B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7124pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":990}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9E4R4-40B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@5V
包装方式:管件
输入电容:7124pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:90mΩ
类型:N通道
输入电容:985pF@100V
功率:254W
栅源击穿电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
漏源导通电阻:55mΩ
类型:N通道
输入电容:1008pF@100V
功率:254W
栅源击穿电压:1200V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
漏源饱和电流:5µA@1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7508-55A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@0V
包装方式:管件
输入电容:4352pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8860
工作温度:-55℃~175℃
功率:254W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12585pF@15V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: