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    功率: 150W
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 3.5V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

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    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

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    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

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    功率:150W

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    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

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    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40022E_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40022E_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40022E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.63mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40022E_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40022E_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40022E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.63mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40022E_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40022E_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40022E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.63mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订2000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ404E-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ404E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16480pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.72mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ466E-T1_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ466E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10210pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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