品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FF23MR12W1M1B11BOMA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.55V@20mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:3950pF@800V
连续漏极电流:50A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDQ60R010S7AXTMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:694W
阈值电压:4.5V@3.08mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:318nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11987pF@300V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FF23MR12W1M1B11BOMA1
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包装方式:托盘
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连续漏极电流:50A
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FF23MR12W1M1B11BOMA1
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):IPDQ60R010S7AXTMA1
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规格型号(MPN):IPDQ60R010S7AXTMA1
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行业应用:工业,汽车
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包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:318nC@12V
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类型:N沟道
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包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:318nC@12V
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功率:694W
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,12V
连续漏极电流:50A
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工作温度:-40℃~150℃
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包装方式:托盘
输入电容:3950pF@800V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:23mΩ@50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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