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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
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功率：53W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
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漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
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规格型号(MPN)：IPD60R280P7SAUMA1
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功率：53W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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功率：53W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
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功率：53W
阈值电压：4V@190µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：761pF@400V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
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类型：N沟道
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漏源电压：700V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：700V
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栅极电荷：18nC@10V
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
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导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
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生产批次：{"22+"：653850，"MI+"：12500}
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工作温度：-40℃~150℃
功率：53W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@3.8A，10V
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规格型号(MPN)：IPD70R1K4CEAUMA1
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功率：53W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD70R1K4CEAUMA1
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类型：N沟道
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漏源电压：700V
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类型：N沟道
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漏源电压：700V
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