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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6645TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：5.7A€25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6645TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：5.7A€25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6645TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：4.9V@50µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：5.7A€25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6645TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：4.9V@50µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：5.7A€25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6645TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：5.7A€25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：109，"18+"：13697，"19+"：3171，"20+"：603，"9999"：740，"MI+"：5371}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4078，"22+"：2902，"23+"：33521，"24+"：3379}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6645TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：4.9V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：5.7A€25A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
