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    类型: 4N沟道(全桥)
    当前匹配商品:10+
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    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50H14FT3G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50H14FT3G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APTM50H14FT3G

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:3259pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:168mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):15psc

    生产批次:{"20+":6}

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    输入电容:7360pF@800V

    类型:4N沟道(全桥)

    阈值电压:5.55V@40mA

    漏源电压:1200V

    包装方式:托盘

    连续漏极电流:100A

    工作温度:-40℃~150℃

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50H14FT3G 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50H14FT3G 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):1psc

    规格型号(MPN):APTM50H14FT3G

    漏源电压:500V

    输入电容:3259pF@25V

    类型:4N沟道(全桥)

    功率:208W

    阈值电压:5V@1mA

    工作温度:-40℃~150℃

    包装方式:散装

    导通电阻:168mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:26A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APTM100H45SCTG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APTM100H45SCTG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APTM100H45SCTG

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@2.5mA

    包装方式:散装

    输入电容:4350pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:540mΩ@9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50HM65FT3G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50HM65FT3G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APTM50HM65FT3G

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:5V@2.5mA

    包装方式:散装

    输入电容:7000pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:78mΩ@25.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50H14FT3G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 APTM50H14FT3G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APTM50H14FT3G

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:3259pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:168mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 F411MR12W2M1B76BOMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":6}

    包装规格(MPQ):15psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@40mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:7360pF@800V

    连续漏极电流:100A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:11.3mΩ@100A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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