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    行业应用: 汽车
    阈值电压: 1V@250µA
    功率: 500mW
    当前匹配商品:500+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订17个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104LP-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2165UW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2165UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订36个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2250UFB-7B 起订36个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2250UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@16V

    连续漏极电流:1.35A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2075UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订23个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订23个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104LP-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104LP-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:106pF@10V

    连续漏极电流:1.41A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订21个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订21个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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