采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@50V
连续漏极电流：18.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR104DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€100W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@50V
连续漏极电流：18.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@370µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6215pF@50V
连续漏极电流：151A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
连续漏极电流：151A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
类型：N沟道
阈值电压：4V@370µA
输入电容：6215pF@50V
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS10N3D2C
连续漏极电流：151A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
类型：N沟道
阈值电压：4V@370µA
输入电容：6215pF@50V
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：3.2mΩ@67A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2840pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
