采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC40PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7528
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@15V
连续漏极电流：45A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7528
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@15V
连续漏极电流：45A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N40F
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3030pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@11.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5158，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA08N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：3.9V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB11N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP26N40
工作温度：-55℃~150℃
功率：265W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3185pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@13A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB11N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7422G
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB10N50CFTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：143W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.9V@470µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH26N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5.5V@4mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4296
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：500，"21+"：950}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA11N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：41，"07+"：308，"09+"：40，"13+"：3760，"14+"：251495，"18+"：240，"19+"：6000，"9999"：77，"MI+"：240}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW11N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5158，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBC40GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5158，"23+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8321LDC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@20V
连续漏极电流：27A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32368
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP18N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2860pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：265mΩ@9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
