采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N60APBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4354
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB6N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@3.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6792
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€48W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3110pF@15V
连续漏极电流：44A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1812
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6216PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：450，"17+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI12N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：700，"13+"：3300，"17+"：5629，"9999"：50，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP12N50C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM7N90CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@12V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@12V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4354
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0806NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.3V@61µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：16A€97A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：110，"08+"：86，"11+"：55，"12+"：2279，"13+"：240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW12N50C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.9V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：11.6A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：560V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB6N60APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@3.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12R7EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1638pF@15V
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：15.5mΩ@8.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
