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    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS32334C 起订26个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS32334C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:577pF@50V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:22A€88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订904个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8882 起订904个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3619,"23+":5376}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8882

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€18W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@15V

    连续漏极电流:10.5A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:904
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    AOS Mosfet场效应管 AON7254 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7254 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7254

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€39W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@75V

    连续漏极电流:5.5A€17A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD6N40CTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD6N40CTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1173pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0503NSIATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:22A€88A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR320TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR320TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A_L2_00001

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:1173pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2W€40W

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    栅极电荷:20nC@10V

    连续漏极电流:5.5A€25A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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