品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4051LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:51mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0350120J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.8W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@1000V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:455mΩ@3.6A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:43.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2480pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":81000,"22+":122500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB19XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2480pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4051LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.14W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:51mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":761402}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€21.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":108000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB16XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:775pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:13.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4025SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1643pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20XPEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2945pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: