采购热线 400-661-9010
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7F120S
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW12N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH6N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW12N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：44.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：690mΩ@6A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：18，"22+"：2165，"23+"：37800，"MI+"：1350}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：200}
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1
工作温度：-55℃~150℃
功率：348W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN17N120L
工作温度：-55℃~150℃
功率：540W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：155nC@15V
包装方式：管件
输入电容：8300pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@8.5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：543W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LSIC1MO120E0080
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@10mA
栅极电荷：95nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1825pF@800V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFT16N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：660W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH6N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：543W
阈值电压：6.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M025120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：4V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@1000V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP2R4N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1207pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP2R4N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1207pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：543W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFR26N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14000pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@13A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP02N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：104pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：75Ω@100mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0350120J
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.8W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@15V
包装方式：管件
输入电容：345pF@1000V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：455mΩ@3.6A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：543W
阈值电压：6.5V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP2R4N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1207pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
