品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:4A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:4A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:4A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:4A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4402G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4402G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@20A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9926CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@8.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: