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    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 2N6660 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 2N6660 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@24V

    连续漏极电流:410mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订83个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订83个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP610DL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KWHE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP610DL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订15个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订15个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KWHE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KWHE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 2N6660 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 2N6660 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@24V

    连续漏极电流:410mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KWHE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP610DL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN0606L-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN0606L-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN0606L-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:330mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN0606L-G 起订10个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN0606L-G 起订10个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN0606L-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:330mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0606N3-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0606N3-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0606N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@750mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP610DL-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0606N3-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0606N3-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0606N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@750mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP610DL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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