品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDZ193P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:515mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:79mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN339AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:700pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3413
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:97mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3A30PZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1651pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:515mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:79mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3414
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMG45UN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:375mW€4.35W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:184pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2301
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:56mΩ@1.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD25304W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.15V@250µA
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:476pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2123L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@16V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: