品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424A
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138AKHH
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:0.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15pF@30V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@190mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:81pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26.7pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS87H6327FTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.8V@108µA
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:97pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@260mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2640LG-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@2mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@130µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@260mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5103NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5103NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP92PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:104pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@260mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26.7pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26.7pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4424ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.8V@1mA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:5.5Ω@500mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG301NU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2520N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:125pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@200mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002ET1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26.7pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: