首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 24A
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订2000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订2000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订10000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订10000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧