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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF916DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€26.6W€4W€60W
阈值电压：2.4V@250µA€2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@15V€4320pF@15V
连续漏极电流：23A€40A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：15987，"23+"：2933}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
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类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF916DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€26.6W€4W€60W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@15V€4320pF@15V
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类型：2N沟道（双）
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.1W€69W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
漏源电压：25V
输入电容：2800pF@12V
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF916DT-T1-GE3
输入电容：1060pF@15V€4320pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@12V
连续漏极电流：23A€40A
类型：N沟道
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