品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN32P60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11100pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX32N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:6.5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7422G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2568pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:97mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5280pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5280pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@32A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351ZQ5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351ZQ5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW32N50C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:284W
阈值电压:3.9V@1.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,10V
漏源电压:560V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LDV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87351ZQ5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1255pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: