销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
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输入电容:1690pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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类型:P沟道
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库存:
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规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
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规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
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品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
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连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
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品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2.5W
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栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
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品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
输入电容:1690pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
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