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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订557个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订557个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":548}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.8V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC80N06Y-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC80N06Y-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC80N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.8V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG80N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG80N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6600pF@100V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@40A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG80N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG80N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG80N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:400nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6600pF@100V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@40A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP80N25X3 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP80N25X3 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP80N25X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390W

    阈值电压:4.5V@1.5mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:5430pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@40A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9400pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.8V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC80N06Y-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC80N06Y-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC80N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX80N60P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX80N60P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX80N60P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1300W

    阈值电压:5V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13100pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU80P06Y-TP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU80P06Y-TP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80P06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5450pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86068-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK80N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK80N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK80N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1040W

    阈值电压:5V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:197nC@10V

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@40A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.8V@50µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.8V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP80N075L2 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP80N075L2 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP80N075L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@40A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02-001 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD80N02-001 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":526735}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD80N02-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU80P06Y-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU80P06Y-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80P06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5450pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC610P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:99nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@6V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK80N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK80N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK80N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:5.5V@4mA

    栅极电荷:143nC@10V

    输入电容:8245pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@40A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ438DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:182nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9400pF@20V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86068-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC070N10NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":548}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC070N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.8V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86068-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86068-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:214W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2220pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH80N65X2 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH80N65X2 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH80N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:5.5V@4mA

    栅极电荷:143nC@10V

    输入电容:8245pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@40A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC610P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC610P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@6V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@22A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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