采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO201SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@14.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2970pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407AL
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA449DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA008P20LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4383pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA433EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：75nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA477EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2970pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA469DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：26.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA413DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@6.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4435
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3020LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1802pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9240PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@7.2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA431DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
