采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A18GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1055pF@50V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2225LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3954，"11+"：2950，"12+"：119518，"13+"：750000，"18+"：3000，"19+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A90PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2225L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2225L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
