采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7316QTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3163，"17+"：3306，"21+"：907，"22+"：3801，"23+"：7329，"MI+"：2187}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7316QTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4935BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：22mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6975
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4925DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7923DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
