品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI730GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP9NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNXC7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:7V@450µA
栅极电荷:10.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP17NK40ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLI630GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.7A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF15N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:375mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:02+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF7S65
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:434pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9634GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA25N50E-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG16P03-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI830GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10N65K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@3.6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1781pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF23N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10NK70ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: