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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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连续漏极电流：2.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：1.3A
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.4A
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导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
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功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
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功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1922EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.3A
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导通电阻：198mΩ@1A，4.5V
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