采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM50-025TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM50-025TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM50-025TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1079pF@30V
连续漏极电流：6A€25A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM50-025TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：管件
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
