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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT1G 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":4433,"07+":49500,"08+":1500,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4708NT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4708NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:970pF@24V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3020LSDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3020LSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:393pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1799pF@15V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1799pF@15V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SFVWQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SFVWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1799pF@15V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2000,"23+":40000,"MI+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009LFVW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009LFVW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009LCG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2309pF@50V

    连续漏极电流:12.4A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订844个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4707NT1G 起订844个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4707NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@24V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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