采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1825
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2027UPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1091pF@10V
连续漏极电流：10A€36A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB40UNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：556pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1149pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@20V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：210429}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17310Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@15V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@20A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
