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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7330pF@13V

    连续漏极电流:49A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-100YSFX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-100YSFX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7360pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7330pF@13V

    连续漏极电流:49A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7330pF@13V

    连续漏极电流:49A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7330pF@13V

    连续漏极电流:49A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7330pF@13V

    连续漏极电流:49A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH8201TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH8201TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€156W

    阈值电压:2.35V@150µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7330pF@13V

    连续漏极电流:49A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.95mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-100YSFX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-100YSFX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7360pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-100YSFX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-100YSFX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7360pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRC18DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRC18DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54.3W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800100DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800100DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7835pF@50V

    连续漏极电流:24A€162A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.95mΩ@24A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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