采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1991，"19+"：15300，"22+"：1018，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R024P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：4V@2.03mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7144pF@400V
连续漏极电流：101A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R024P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：4V@2.03mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7144pF@400V
连续漏极电流：101A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1991，"19+"：15300，"22+"：1018，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：4V@2.03mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7144pF@400V
连续漏极电流：101A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：4V@2.03mA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7144pF@400V
连续漏极电流：101A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18A€50A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1991，"19+"：15300，"22+"：1018，"MI+"：3150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH077N65F-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7162pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@27A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
