品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SY-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2310A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: