品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3911DCX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:882.51pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:140mΩ@2.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB950UPELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV27UPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€4.15W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:22.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTS21115C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB350UPE,315
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€3.125W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:127pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:450mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZB290UNE2YL
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW€5.43W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMH600UNEH
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW€2.2W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:0.55W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:175mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDXB600UNEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:265mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ950UPEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67.62pF@25V
连续漏极电流:1.21A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: