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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB12UNEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@10V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.1A
类型：N+P-Channel
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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