品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2038LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3.7A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJD3119CTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:271pF@10V
连续漏极电流:2.6A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:65mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2700UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.12W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1.34A€1.14A
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2038LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3.7A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1034CZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@10V
连续漏极电流:1.07A€845mA
类型:N和P沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@15V
连续漏极电流:450mA€310mA
类型:N和P沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:870mA€640mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@15V
连续漏极电流:450mA€310mA
类型:N和P沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:870mA€640mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2038LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3.7A€2.6A
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":15228,"09+":2080578,"10+":216000,"9999":3497,"MI+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTUD3127CT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9pF@15V
连续漏极电流:160mA€140mA
类型:N和P沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2537CQ RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流:11.6A€9A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2700UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.12W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1.34A€1.14A
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:870mA€640mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1016CX-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
类型:N和P沟道
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1016CX-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
类型:N和P沟道
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:870mA€640mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2308-TP
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A€4A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCMNP2065-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:418pF@10V€1010pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1016UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@10V
连续漏极电流:1.07A€845mA
类型:N和P沟道
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1016CX-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
类型:N和P沟道
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2990UDJ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@15V
连续漏极电流:450mA€310mA
类型:N和P沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3155CT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:N和P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: